我可以从逆向工程集成电路封装中获得什么样的信息

#1 楼

1）操作时进行探测-如果您有探针台，则可以操作设备并在芯片内探测中间信号。这要求也必须去除封装材料（通常为Si＃N4-或有时为聚酰亚胺）。一旦将其卸下，芯片的寿命将受到限制，但是您无法对其进行探测。

此外，顶部金属上的芯片的特征尺寸也必须足够大以便能够进行探测。在大多数现代工艺中，这都是非常棘手的问题，因为即使在航向分辨率层上，它仍然太小而无法探测。在芯片上添加测试点。在这种情况下，您将保留钝化，并且将焊盘沉积在钝化的顶部。然后，FIB切断钝化并连接到下面的走线。这些机器的每小时收费通常为$ 100。

2）延迟：逐层蚀刻芯片，并在每个阶段拍摄照片和/或电子显微照片。了解器件的构造将使您可以将器件结构重新生成为Si。这里的尺寸很重要。要了解向Si本身的注入，需要使用SIMS（二次离子质谱仪）机，并在基板上铣一个小孔，将离子抽入质谱仪机中，并在向下钻取时显示其种类和掺杂分布。
其他很多机器也可以用来确定种类和掺杂水平。

3）如果有闪存或EEProm设备，上述两种技术将无济于事，因为设备的状态由存在或不存在的电荷来设置，您无法读取。在这种情况下，将使用其他工具。您将延迟到栅极电平以上，然后尝试使用AFM等多种技术（具有读取电子亲和力的特殊附件的功能）来读取浮动栅极上存储的电荷。甚至可以使用诸如具有表面对比度增强功能的SEM之类的技术，使您几乎可以像频闪灯一样监视正在运行的芯片。但这要求该设备可以去除大量的金属层，并且仍可运行。

要完全重做一个芯片，您将需要多个芯片，并且逐步学习各个步骤，逐步学习。 ，大多数都是为了帮助设计人员调试问题而不是针对RE而开发的，这充其量只是一个简短的概述。